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ROHM Semicon EMG3T2R
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | EMG3T2R |
| EBEE-Teilenummer | E82941610 |
| Gehäuse | SOT-553-5 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | 100@1mA,5V 150mW 100mA 50V SOT-553-5 Digital Transistors ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 5+ | $0.1095 | $ 0.5475 |
| 50+ | $0.0982 | $ 4.9100 |
| 150+ | $0.0925 | $ 13.8750 |
| 500+ | $0.0882 | $ 44.1000 |
| 2500+ | $0.0711 | $ 177.7500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased | |
| Datenblatt | ROHM EMG3T2R | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃ | |
| Typ | NPN | |
| Eingangswiderstand | 4.7kΩ | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 2 NPN Pre-Biased (Emitter-Coupled) | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 300mV | |
| Transition frequency(fT) | 250MHz |
Einkaufsleitfaden
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