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ROHM Semicon IMD2AT108


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMD2AT108
EBEE-Teilenummer
E8509889
Gehäuse
SOT-457
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
56@5mA,5V 300mW 100mA 50V SOT-457 Digital Transistors ROHS
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50+$0.0673$ 3.3650
150+$0.0589$ 8.8350
500+$0.0526$ 26.3000
3000+$0.0476$ 142.8000
6000+$0.0451$ 270.6000
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TypBeschreibung
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KategorieDiscrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
DatenblattROHM IMD2AT108
RoHS
Temperatur-55℃~+150℃
TypNPN+PNP
Eingangswiderstand22kΩ
Widerstand Ratio1
Eingangsspannung (VI(on) Ic,Vce)3V@5mA,200mV
Collector - Emitter Voltage VCEO50V
Current - Collector(Ic)100mA
Number1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased
Pd - Power Dissipation300mW
DC Current Gain56
Transition frequency(fT)250MHz
Output Voltage(VO(on))100mV
Voltage - Input(Max)(VI(off))3V

Einkaufsleitfaden

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