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onsemi MUN5211DW1T1G


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
MUN5211DW1T1G
EBEE-Teilenummer
E8152507
Gehäuse
SOT-363
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
[email protected],10V 187mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
10+$0.0707$ 0.7070
100+$0.0600$ 6.0000
300+$0.0546$ 16.3800
3000+$0.0457$ 137.1000
6000+$0.0425$ 255.0000
9000+$0.0409$ 368.1000
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TypBeschreibung
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KategorieDiscrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Datenblattonsemi MUN5211DW1T1G
RoHS
Temperatur-55℃~+150℃
TypNPN
Eingangswiderstand13kΩ
Widerstand Ratio1
Eingangsspannung (VI(on) Ic,Vce)2V
Collector - Emitter Voltage VCEO50V
Current - Collector(Ic)100mA
Number2 NPN (Pre-Biased)
Pd - Power Dissipation256mW
DC Current Gain35
Current - Collector Cutoff100nA
Vce Saturation(VCE(sat))250mV
Output Voltage(VO(on))200mV
Voltage - Input(Max)(VI(off))1.2V

Einkaufsleitfaden

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