| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BSM300C12P3E301 |
| EBEE-Teilenummer | E86132527 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $414.7914 | $ 414.7914 |
| 200+ | $389.5725 | $ 77914.5000 |
| 500+ | $376.5542 | $ 188277.1000 |
| 1000+ | $370.1216 | $ 370121.6000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | ROHM Semicon BSM300C12P3E301 | |
| RoHS | ||
| Ableitung der Stromableitung | 1360W | |
| Dauerstrom | 300A | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain Quellespannung | 1200V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $414.7914 | $ 414.7914 |
| 200+ | $389.5725 | $ 77914.5000 |
| 500+ | $376.5542 | $ 188277.1000 |
| 1000+ | $370.1216 | $ 370121.6000 |
