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ROHM Semicon BSM180C12P2E202
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BSM180C12P2E202 |
| EBEE-Teilenummer | E85955632 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $290.3541 | $ 290.3541 |
| 200+ | $272.6993 | $ 54539.8600 |
| 500+ | $263.5872 | $ 131793.6000 |
| 1000+ | $259.0841 | $ 259084.1000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| RoHS | ||
| Ableitung der Stromableitung | 1360W | |
| Dauerstrom | 204A | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain Quellespannung | 1200V |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $259.0841 | $ 259084.1000 |
