| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | UJ3C120080K3S |
| EBEE-Teilenummer | E86731596 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $30.9396 | $ 30.9396 |
| 10+ | $30.0577 | $ 300.5770 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Qorvo UJ3C120080K3S | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 254.2W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $30.9396 | $ 30.9396 |
| 10+ | $30.0577 | $ 300.5770 |
