| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | PAA12400BM3 |
| EBEE-Teilenummer | E817638836 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2,281.7397 | $ 2281.7397 |
| 200+ | $910.4297 | $ 182085.9400 |
| 500+ | $880.0062 | $ 440003.1000 |
| 1000+ | $864.9739 | $ 864973.9000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| RoHS | ||
| Dauerstrom | 350A | |
| Konfiguration | Half Bridge | |
| Kanaltyp | 2 N-Channel | |
| Drain Quellespannung | 1200V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2,281.7397 | $ 2281.7397 |
| 200+ | $910.4297 | $ 182085.9400 |
| 500+ | $880.0062 | $ 440003.1000 |
| 1000+ | $864.9739 | $ 864973.9000 |
