Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
PN Junction Semiconductor P3M173K0T3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | P3M173K0T3 |
| EBEE-Teilenummer | E85823481 |
| Gehäuse | TO-220-2L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-220-2L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $10.8233 | $ 10.8233 |
| 200+ | $4.3200 | $ 864.0000 |
| 500+ | $4.1753 | $ 2087.6500 |
| 1000+ | $4.1039 | $ 4103.9000 |
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | PN Junction Semiconductor P3M173K0T3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+175℃ | |
| Ableitung der Stromableitung | 75W | |
| Total Gate Charge | 3.79nC | |
| Dauerstrom | 4A | |
| Reverse Transfer Capacitance | 4.3pF | |
| Eingangskapazitanz | 116pF | |
| Akapitän | 12pF | |
| Konfiguration | - | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain-Source On-State Resistance(15V) | 2500mΩ | |
| Drain-Source On-State Resistance(18V) | - | |
| Drain-Source On-State Resistance(20V) | - | |
| Gekapselte Typ | Single Tube | |
| Drain-Source On-State Resistance (10V) | - | |
| Drain Quellespannung | 1700V | |
| Drain Quelle Schwellenspannung | 2.2V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
Auf Lager : Bitte anfragen
Bitte senden Sie eine RFQ, wir werden sofort antworten.
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $10.8233 | $ 10.8233 |
| 200+ | $4.3200 | $ 864.0000 |
| 500+ | $4.1753 | $ 2087.6500 |
| 1000+ | $4.1039 | $ 4103.9000 |
