| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | P3M06300D5 |
| EBEE-Teilenummer | E85823477 |
| Gehäuse | - |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $11.3688 | $ 11.3688 |
| 200+ | $4.5361 | $ 907.2200 |
| 500+ | $4.3844 | $ 2192.2000 |
| 1000+ | $4.3095 | $ 4309.5000 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | PN Junction Semiconductor P3M06300D5 | |
| RoHS | ||
| Ableitung der Stromableitung | 26W | |
| Dauerstrom | 9A | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain Quellespannung | 650V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $11.3688 | $ 11.3688 |
| 200+ | $4.5361 | $ 907.2200 |
| 500+ | $4.3844 | $ 2192.2000 |
| 1000+ | $4.3095 | $ 4309.5000 |
