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onsemi NVH4L060N090SC1


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NVH4L060N090SC1
EBEE-Teilenummer
E82902307
Gehäuse
TO-247-4L
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$18.5673$ 18.5673
10+$16.9812$ 169.8120
30+$15.5226$ 465.6780
90+$14.2498$ 1282.4820
TypBeschreibung
Alle auswählen
KategorieSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
Datenblattonsemi NVH4L060N090SC1
RoHS
TypeN-Channel
Pd - Power Dissipation221W
Drain to Source Voltage900V
Current - Continuous Drain(Id)46A

Einkaufsleitfaden

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