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onsemi NTMT045N065SC1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTMT045N065SC1 |
| EBEE-Teilenummer | E85209024 |
| Gehäuse | TDFN4-2(8x8) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TDFN4-2(8x8) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $12.4977 | $ 12.4977 |
| 10+ | $11.8686 | $ 118.6860 |
| 30+ | $10.7759 | $ 323.2770 |
| 100+ | $9.8237 | $ 982.3700 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | onsemi NTMT045N065SC1 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 50mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 187W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 55A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.87nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 162pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $10.7759 | $ 323.2770 |
| 100+ | $9.8237 | $ 982.3700 |
