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onsemi NTH4L025N065SC1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTH4L025N065SC1 |
| EBEE-Teilenummer | E85209034 |
| Gehäuse | TO-247-4L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | onsemi NTH4L025N065SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 19mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 25pF | |
| Pd - Power Dissipation | 174W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 99A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.48nF | |
| Gate Charge(Qg) | 164nC |
Einkaufsleitfaden
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