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onsemi NTBG022N120M3S
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | NTBG022N120M3S |
| EBEE-Teilenummer | E85209031 |
| Gehäuse | D2PAK7(TO-263-7L-HV) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | ECL99 |
| Beschreibung | D2PAK7(TO-263-7L-HV) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | onsemi NTBG022N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 30mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 234W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 148pF | |
| Gate Charge(Qg) | 148nC |
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