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Microchip Tech MSC080SMA120B
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MSC080SMA120B |
| EBEE-Teilenummer | E85127757 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $27.4642 | $ 27.4642 |
| 10+ | $25.8708 | $ 258.7080 |
| 30+ | $24.2869 | $ 728.6070 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Microchip Tech MSC080SMA120B | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 100mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 6.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 231W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 91pF | |
| Gate Charge(Qg) | 72nC |
Einkaufsleitfaden
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