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MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG1C120R080K3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | MDDG1C120R080K3 |
| EBEE-Teilenummer | E822370504 |
| Gehäuse | TO-247-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $17.1546 | $ 17.1546 |
| 200+ | $6.8447 | $ 1368.9400 |
| 450+ | $6.6162 | $ 2977.2900 |
| 900+ | $6.5045 | $ 5854.0500 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG1C120R080K3 | |
| RoHS | ||
| Temperatur | - | |
| Ableitung der Stromableitung | - | |
| Total Gate Charge | - | |
| Dauerstrom | 36A | |
| Reverse Transfer Capacitance | - | |
| Eingangskapazitanz | - | |
| Konfiguration | - | |
| Kanaltyp | 1 N-Channel | |
| Drain-Source On-State Resistance(15V) | - | |
| Drain-Source On-State Resistance(18V) | - | |
| Drain-Source On-State Resistance(20V) | - | |
| Gekapselte Typ | - | |
| Drain-Source On-State Resistance (10V) | - | |
| Drain Quellespannung | 1200V | |
| Drain Quelle Schwellenspannung | - |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $17.1546 | $ 17.1546 |
| 200+ | $6.8447 | $ 1368.9400 |
| 450+ | $6.6162 | $ 2977.2900 |
| 900+ | $6.5045 | $ 5854.0500 |
