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LGE LGE3M80120Q
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LGE3M80120Q |
| EBEE-Teilenummer | E828148575 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $17.7271 | $ 17.7271 |
| 200+ | $7.0749 | $ 1414.9800 |
| 500+ | $6.8378 | $ 3418.9000 |
| 1000+ | $6.7201 | $ 6720.1000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| RoHS |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $6.7201 | $ 6720.1000 |
