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LGE LGE3M650170B
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LGE3M650170B |
| EBEE-Teilenummer | E842372481 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $9.9715 | $ 9.9715 |
| 210+ | $3.9792 | $ 835.6320 |
| 510+ | $3.8471 | $ 1962.0210 |
| 990+ | $3.7801 | $ 3742.2990 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| RoHS |
Einkaufsleitfaden
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| 990+ | $3.7801 | $ 3742.2990 |
