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LGE LGE3M40120Q
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LGE3M40120Q |
| EBEE-Teilenummer | E825402767 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $27.6986 | $ 27.6986 |
| 200+ | $11.0523 | $ 2210.4600 |
| 500+ | $10.6830 | $ 5341.5000 |
| 1000+ | $10.5002 | $ 10500.2000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| RoHS |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $10.6830 | $ 5341.5000 |
| 1000+ | $10.5002 | $ 10500.2000 |
