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LGE LGE3M35120Q
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LGE3M35120Q |
| EBEE-Teilenummer | E827035429 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $28.8066 | $ 28.8066 |
| 200+ | $11.4940 | $ 2298.8000 |
| 500+ | $11.1103 | $ 5555.1500 |
| 1000+ | $10.9202 | $ 10920.2000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| RoHS |
Einkaufsleitfaden
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| 500+ | $11.1103 | $ 5555.1500 |
| 1000+ | $10.9202 | $ 10920.2000 |
