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LGE LGE3M18120Q
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | LGE3M18120Q |
| EBEE-Teilenummer | E828451336 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $60.9369 | $ 60.9369 |
| 200+ | $24.3150 | $ 4863.0000 |
| 500+ | $23.5022 | $ 11751.1000 |
| 1000+ | $23.1003 | $ 23100.3000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| RoHS |
Einkaufsleitfaden
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| 1000+ | $23.1003 | $ 23100.3000 |
