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KNSCHA KN3M80120K
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | KN3M80120K |
| EBEE-Teilenummer | E85373190 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $6.0152 | $ 6.0152 |
| 10+ | $5.2035 | $ 52.0350 |
| 30+ | $4.7102 | $ 141.3060 |
| 120+ | $4.2953 | $ 515.4360 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | KNSCHA KN3M80120K | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 85mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3.9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 920pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 57pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
Einkaufsleitfaden
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