5% off
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
KNSCHA KN3M65017D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | KN3M65017D |
| EBEE-Teilenummer | E87432998 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>27 Auf Lager für schnelle Lieferung
27 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0023 | $ 3.0023 |
| 10+ | $2.5573 | $ 25.5730 |
| 30+ | $2.2782 | $ 68.3460 |
| 120+ | $1.9930 | $ 239.1600 |
| 480+ | $1.8648 | $ 895.1040 |
| 1020+ | $1.8090 | $ 1845.1800 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | KNSCHA KN3M65017D | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 650mΩ@20V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 1.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 62W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 194pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23nC |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
27 Stock for Shipping Fast
27 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0023 | $ 3.0023 |
| 10+ | $2.5573 | $ 25.5730 |
| 30+ | $2.2782 | $ 68.3460 |
| 120+ | $1.9930 | $ 239.1600 |
| 480+ | $1.8648 | $ 895.1040 |
| 1020+ | $1.8090 | $ 1845.1800 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
