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KNSCHA KN3M50120K
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | KN3M50120K |
| EBEE-Teilenummer | E85373189 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | KNSCHA KN3M50120K | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 50mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 344W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.75nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 106pF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC |
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