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InventChip IV2Q171R0D7
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV2Q171R0D7 |
| EBEE-Teilenummer | E85806852 |
| Gehäuse | TO-263-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9130 | $ 4.9130 |
| 10+ | $4.2077 | $ 42.0770 |
| 30+ | $3.7364 | $ 112.0920 |
| 100+ | $3.3126 | $ 331.2600 |
| 500+ | $3.1168 | $ 1558.4000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | InventChip IV2Q171R0D7 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 850mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 39W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 285pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 15.3pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC |
Einkaufsleitfaden
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