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InventChip IV1Q12750O3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV1Q12750O3 |
| EBEE-Teilenummer | E82979250 |
| Gehäuse | TO-220-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-220-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2578 | $ 5.2578 |
| 10+ | $4.5699 | $ 45.6990 |
| 50+ | $4.1625 | $ 208.1250 |
| 100+ | $3.7491 | $ 374.9100 |
| 500+ | $3.5575 | $ 1778.7500 |
| 1000+ | $3.4715 | $ 3471.5000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | InventChip IV1Q12750O3 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 66.9W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.4A |
Einkaufsleitfaden
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| 50+ | $4.1625 | $ 208.1250 |
| 100+ | $3.7491 | $ 374.9100 |
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| 1000+ | $3.4715 | $ 3471.5000 |
