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InventChip IV1Q12160T4
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV1Q12160T4 |
| EBEE-Teilenummer | E82894810 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $10.5422 | $ 10.5422 |
| 10+ | $9.1533 | $ 91.5330 |
| 30+ | $7.9908 | $ 239.7240 |
| 90+ | $7.2826 | $ 655.4340 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | InventChip IV1Q12160T4 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 195mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 138W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 885pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 38pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 1+ | $10.5422 | $ 10.5422 |
| 10+ | $9.1533 | $ 91.5330 |
| 30+ | $7.9908 | $ 239.7240 |
| 90+ | $7.2826 | $ 655.4340 |
