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InventChip IV1Q12160D7Z
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV1Q12160D7Z |
| EBEE-Teilenummer | E85806850 |
| Gehäuse | TO-263-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $10.1522 | $ 10.1522 |
| 10+ | $8.7403 | $ 87.4030 |
| 30+ | $7.7583 | $ 232.7490 |
| 100+ | $7.0363 | $ 703.6300 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | InventChip IV1Q12160D7Z | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 100+ | $7.0363 | $ 703.6300 |
