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InventChip IV1Q12080T3Z
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV1Q12080T3Z |
| EBEE-Teilenummer | E85806848 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $11.0557 | $ 11.0557 |
| 10+ | $10.5141 | $ 105.1410 |
| 30+ | $10.2757 | $ 308.2710 |
| 90+ | $10.0675 | $ 906.0750 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | InventChip IV1Q12080T3Z | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
Einkaufsleitfaden
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| 90+ | $10.0675 | $ 906.0750 |
