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InventChip IV1Q12080T3
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV1Q12080T3 |
| EBEE-Teilenummer | E82979243 |
| Gehäuse | TO-247-3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $11.1161 | $ 11.1161 |
| 10+ | $9.9619 | $ 99.6190 |
| 30+ | $9.0733 | $ 272.1990 |
| 90+ | $8.2978 | $ 746.8020 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | InventChip IV1Q12080T3 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 80mΩ@20V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 6.7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 42A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.68nF | |
| Gate Charge(Qg) | 76nC |
Einkaufsleitfaden
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $11.1161 | $ 11.1161 |
| 10+ | $9.9619 | $ 99.6190 |
| 30+ | $9.0733 | $ 272.1990 |
| 90+ | $8.2978 | $ 746.8020 |
