| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV1Q12050D7Z |
| EBEE-Teilenummer | E85806847 |
| Gehäuse | TO-263-7 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $13.6810 | $ 13.6810 |
| 10+ | $13.2741 | $ 132.7410 |
| 30+ | $12.9483 | $ 388.4490 |
| 90+ | $12.6654 | $ 1139.8860 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | InventChip IV1Q12050D7Z | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $13.6810 | $ 13.6810 |
| 10+ | $13.2741 | $ 132.7410 |
| 30+ | $12.9483 | $ 388.4490 |
| 90+ | $12.6654 | $ 1139.8860 |
