| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV1Q12030T4G |
| EBEE-Teilenummer | E85806845 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $20.2768 | $ 20.2768 |
| 5+ | $19.4110 | $ 97.0550 |
| 30+ | $18.3739 | $ 551.2170 |
| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | InventChip IV1Q12030T4G | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $20.2768 | $ 20.2768 |
| 5+ | $19.4110 | $ 97.0550 |
| 30+ | $18.3739 | $ 551.2170 |
