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InventChip IV1Q06040T4
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV1Q06040T4 |
| EBEE-Teilenummer | E82979249 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $12.1284 | $ 12.1284 |
| 10+ | $11.0923 | $ 110.9230 |
| 30+ | $10.1390 | $ 304.1700 |
| 90+ | $9.3067 | $ 837.6030 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | InventChip IV1Q06040T4 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 40mΩ@20V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 10.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 348W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.692nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 179pF | |
| Gate Charge(Qg) | 110.8nC |
Einkaufsleitfaden
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| 1+ | $12.1284 | $ 12.1284 |
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| 30+ | $10.1390 | $ 304.1700 |
| 90+ | $9.3067 | $ 837.6030 |
