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InventChip IV1B12013HA1L
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IV1B12013HA1L |
| EBEE-Teilenummer | E85806854 |
| Gehäuse | Through Hole,62.8x33.8mm |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $151.0078 | $ 151.0078 |
| 30+ | $145.5011 | $ 4365.0330 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | InventChip IV1B12013HA1L | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
Einkaufsleitfaden
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| 1+ | $151.0078 | $ 151.0078 |
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