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Infineon Technologies IMZA65R072M1HXKSA1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IMZA65R072M1HXKSA1 |
| EBEE-Teilenummer | E83029556 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $5.7945 | $ 57.9450 |
| 30+ | $5.6403 | $ 169.2090 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Infineon Technologies IMZA65R072M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 94mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 96W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28A | |
| Ciss-Input Capacitance | 744pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 112pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC |
Einkaufsleitfaden
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