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Infineon Technologies IMZA65R027M1H
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IMZA65R027M1H |
| EBEE-Teilenummer | E8536297 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Infineon Technologies IMZA65R027M1H | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 34mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 22pF | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 59A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.131nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 317pF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
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