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Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IMZA120R007M1HXKSA1 |
| EBEE-Teilenummer | E86061986 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 7mΩ@18V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 420pF | |
| Pd - Power Dissipation | 750W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 225A | |
| Ciss-Input Capacitance | 9.17nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 61pF | |
| Gate Charge(Qg) | 289nC |
Einkaufsleitfaden
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