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Infineon Technologies IMZ120R090M1H
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IMZ120R090M1H |
| EBEE-Teilenummer | E8536293 |
| Gehäuse | TO-247-4 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $9.0531 | $ 90.5310 |
| 30+ | $8.8073 | $ 264.2190 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Infineon Technologies IMZ120R090M1H | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Konfiguration | - | |
| RDS(on) | 90mΩ@18V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 115W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 26A | |
| Ciss-Input Capacitance | 707pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 39pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC |
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