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Infineon Technologies IMW65R039M1HXKSA1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IMW65R039M1HXKSA1 |
| EBEE-Teilenummer | E83278949 |
| Gehäuse | TO-247-3-41 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-3-41 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Infineon Technologies IMW65R039M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 50mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 15pF | |
| Pd - Power Dissipation | 176W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 46A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.393nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 208pF | |
| Gate Charge(Qg) | 41nC |
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