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Infineon Technologies IMW120R140M1HXKSA1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IMW120R140M1HXKSA1 |
| EBEE-Teilenummer | E86210721 |
| Gehäuse | TO-247-3-41 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-3-41 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2175 | $ 5.2175 |
| 10+ | $5.0947 | $ 50.9470 |
| 30+ | $5.0119 | $ 150.3570 |
| 90+ | $4.9306 | $ 443.7540 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Infineon Technologies IMW120R140M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 140mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 94W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 19A | |
| Ciss-Input Capacitance | 454pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $5.0119 | $ 150.3570 |
| 90+ | $4.9306 | $ 443.7540 |
