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Infineon Technologies IMW120R030M1H


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMW120R030M1H
EBEE-Teilenummer
E8536280
Gehäuse
TO-247-3
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
EAR99
Beschreibung
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
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Auf Lager: 191
Minimum: 1Vielfache: 1
Stückpreis
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
MengeStückpreisGesamtpreis
1+$15.4997$ 15.4997
10+$14.2672$ 142.6720
30+$13.2297$ 396.8910
90+$12.3255$ 1109.2950
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TypBeschreibung
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KategorieGeräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET)
DatenblattInfineon Technologies IMW120R030M1H
RoHS
Temperatur-55℃~+175℃
Ableitung der Stromableitung227W
Total Gate Charge63nC
Dauerstrom56A
Reverse Transfer Capacitance13pF
Eingangskapazitanz2120pF
Konfiguration-
Kanaltyp1 N-Channel
Drain-Source On-State Resistance(15V)42mΩ
Drain-Source On-State Resistance(18V)30mΩ
Drain-Source On-State Resistance(20V)-
Vg(th)4.5V
Gekapselte TypSingle Tube
V(BR)DSS1200V
Drain-Source On-State Resistance (10V)-

Einkaufsleitfaden

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