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Infineon Technologies IMBG120R045M1HXTMA1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | IMBG120R045M1HXTMA1 |
| EBEE-Teilenummer | E83279262 |
| Gehäuse | TO-263-7-12 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-263-7-12 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $12.6657 | $ 126.6570 |
| 30+ | $11.6009 | $ 348.0270 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Infineon Technologies IMBG120R045M1HXTMA1 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 45mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 7.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 227W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 47A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.527nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC |
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