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Infineon Technologies AIMW120R060M1HXKSA1
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AIMW120R060M1HXKSA1 |
| EBEE-Teilenummer | E83278942 |
| Gehäuse | TO-247-3-41 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | EAR99 |
| Beschreibung | TO-247-3-41 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $21.8201 | $ 21.8201 |
| 10+ | $20.8394 | $ 208.3940 |
| 30+ | $19.1410 | $ 574.2300 |
| 100+ | $17.6584 | $ 1765.8400 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Geräte aus Siliziumkarbid (SiC) ,Siliziumkarbidfeldeffektransistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | Infineon Technologies AIMW120R060M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $19.1410 | $ 574.2300 |
| 100+ | $17.6584 | $ 1765.8400 |
