50% off
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
HXY MOSFET HC3M0032120K
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HC3M0032120K |
| EBEE-Teilenummer | E819723856 |
| Gehäuse | TO-247-4L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>4 Auf Lager für schnelle Lieferung
4 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $7.2878 | $ 7.2878 |
| 10+ | $6.9435 | $ 69.4350 |
| 30+ | $6.3467 | $ 190.4010 |
| 90+ | $5.8259 | $ 524.3310 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HC3M0032120K | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 43mΩ | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 283W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 63A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.357nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 129pF | |
| Gate Charge(Qg) | 118nC |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
4 Stock for Shipping Fast
4 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $7.2878 | $ 7.2878 |
| 10+ | $6.9435 | $ 69.4350 |
| 30+ | $6.3467 | $ 190.4010 |
| 90+ | $5.8259 | $ 524.3310 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
