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HXY MOSFET HC3M0021120D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HC3M0021120D |
| EBEE-Teilenummer | E841428807 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HC3M0021120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | - | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 12pF | |
| Pd - Power Dissipation | 469W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 81A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.818nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 160nC |
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