17% off
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
HXY MOSFET HC3M00160120D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HC3M00160120D |
| EBEE-Teilenummer | E822449549 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>4 Auf Lager für schnelle Lieferung
4 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9658 | $ 4.9658 |
| 10+ | $4.2666 | $ 42.6660 |
| 30+ | $3.8412 | $ 115.2360 |
| 90+ | $3.4831 | $ 313.4790 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HC3M00160120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
4 Stock for Shipping Fast
4 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9658 | $ 4.9658 |
| 10+ | $4.2666 | $ 42.6660 |
| 30+ | $3.8412 | $ 115.2360 |
| 90+ | $3.4831 | $ 313.4790 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
