35% off
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
HXY MOSFET HC3M0015065D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HC3M0015065D |
| EBEE-Teilenummer | E819723863 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>139 Auf Lager für schnelle Lieferung
139 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $11.0383 | $ 11.0383 |
| 10+ | $10.5120 | $ 105.1200 |
| 30+ | $9.5997 | $ 287.9910 |
| 90+ | $8.8040 | $ 792.3600 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HC3M0015065D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 21mΩ | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 31pF | |
| Pd - Power Dissipation | 416W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 501pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 289pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
139 Stock for Shipping Fast
139 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $11.0383 | $ 11.0383 |
| 10+ | $10.5120 | $ 105.1200 |
| 30+ | $9.5997 | $ 287.9910 |
| 90+ | $8.8040 | $ 792.3600 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
