50% off
Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
HXY MOSFET HC2M0160120D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HC2M0160120D |
| EBEE-Teilenummer | E819723851 |
| Gehäuse | TO-247-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>109 Auf Lager für schnelle Lieferung
109 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7375 | $ 2.7375 |
| 10+ | $2.3406 | $ 23.4060 |
| 30+ | $2.1043 | $ 63.1290 |
| 90+ | $1.8657 | $ 167.9130 |
| 510+ | $1.7553 | $ 895.2030 |
| 990+ | $1.7059 | $ 1688.8410 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HC2M0160120D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 196mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 606pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
109 Stock for Shipping Fast
109 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7375 | $ 2.7375 |
| 10+ | $2.3406 | $ 23.4060 |
| 30+ | $2.1043 | $ 63.1290 |
| 90+ | $1.8657 | $ 167.9130 |
| 510+ | $1.7553 | $ 895.2030 |
| 990+ | $1.7059 | $ 1688.8410 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
