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HXY MOSFET HC2M0080120K
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HC2M0080120K |
| EBEE-Teilenummer | E819723862 |
| Gehäuse | TO-247-4L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 30+ | $2.9280 | $ 87.8400 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HC2M0080120K | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 98mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 11pF | |
| Pd - Power Dissipation | 192W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.475nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 94pF | |
| Gate Charge(Qg) | 79nC |
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