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HXY MOSFET HC2M0045170D
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HC2M0045170D |
| EBEE-Teilenummer | E819723849 |
| Gehäuse | TO-247-3L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HC2M0045170D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 70mΩ | |
| Operating Temperature - | -40℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 6.7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 520W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.672nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 171pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
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