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HXY MOSFET HC2M0040120K
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | HC2M0040120K |
| EBEE-Teilenummer | E819723848 |
| Gehäuse | TO-247-4L |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Datenblatt | HXY MOSFET HC2M0040120K | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 50mΩ | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 405W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 78A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.101nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 161pF | |
| Gate Charge(Qg) | 131nC |
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